1月8日，武汉大学物理科学与技术学院林乾乾教授应邀访问中国科学院兰州化学物理研究所，并作了题为“新型半导体材料载流子输运调控与器件设计”的学术报告。

　　林教授分享了其团队在新型半导体材料载流子的运输调控和器件设计方面工作，介绍了他们基于泵浦-探测原理的瞬态微波光电导（TRMC）和深能级缺陷谱（DLTS）等技术应用于新型半导体的载流子动力学研究。研究涉及半导体器件和薄膜中载流子的产生、输运、复合、注入和抽取，以及界面层调控过程，通过对表征结果的分析和理解，他们进一步应用这些成果于光电器件的设计、模拟和优化上。

　　林乾乾，教授，博士毕业于澳大利亚昆士兰大学有机光电子中心，随后在英国牛津大学物理系从事博士后研究。2017年入职武汉大学物理科学与技术学院，入选湖北省引进海外高层次人才计划。主要从事半导体材料光电表征和器件物理的研究，包括瞬态光谱、载流子动力学和缺陷表征，光电探测器，薄膜太阳能电池和硫化物半导体等。在Nat. Photonics (2), Nat. Energy (5), Appl. Phys. Rev. (3), Nat. Commun. (3), Matter, Adv. Mater. (4), Adv. Energy Mater. (2), Adv. Funct. Mater. (5), Innovation和ACS Energy Lett.等期刊上发表SCI论文110余篇，文章总引用7500余次，申请国内外专利二十余项。